串联一拖多熔炼系统

IGBT是电力晶体管（GTR）和电力效应晶体管（MOSFET）的复合体，它综合了GTR和SFT的优点，因而具有良好的特性

技术特点

1、IGBT是电力晶体管（GTR）和电力效应晶体管（MOSFET）的复合体，它综合了GTR和SFT的优点，因而具有良好的特性。
2、IGBT中频电源采用电容与感应圈串联形式连接电路，因采用调频调功，整流桥处于不控状态，功率因数高达0.96以上；工作过程中谐波小。
3、IGBT晶体管控制特点与可控硅相比不但可以控制导通，还可以任意自主控制关断，不像可控硅被动关断且需要时间，使逆变功率因数也更高（297%），同等的进线电压（380V）炉体电压更高，IGBT逆变电压在2800V左右，传统可控硅的逆变电压仅为750 最大 800v，电压高了近四倍，线路损耗小，可节能15%。
4、恒功率输出。IGBT中频电源调频调功相对于传统可控硅中频电源调压调功，它不受炉料多少，炉衬壁薄厚的影响，在整个熔炼过程中接近恒功率输出。传统可控硅中频电源加热过程中受磁感量变化大的影响起初熔炼功率小，影响熔炼速度，可控硅电源的功率是随着熔炼时间及磁感量变化而变化的，由小功率慢慢提高到大功率运行的过程，降低了变压器的容量利用率提高了生产成本，在这一点上能节能 3%6-5%左右。

产品优势

效率高
审联逆变器采用半桥电路，主电路元器件数量相对减少，且有很高的功率因数，故有较高功率。
良好的自动特性，在满载，重载状态下，都能随意起动，起动成功率达100%，提高功率因素，确保在任意功率下功率因数达 95%，恒功率输出，功率输出采用恒定控制，在熔炼过程中，负载和温度变化时，其负载始终满功率输出，从而缩短熔炼时间。
具有完善的保护与运行状况监控系统
如：用传感器对进线电流、电压、漕路电流、电压取信号，给双闭环数字电路进行限流、限压、过量过压重复保护，有水温水压保护等等。KK 可控硅、KP 可控硅都具有自关断时间保护。
有完整的检测系统
对逆变器，滤波电容器工作温度采用温度开关表进行监控，一旦冷却水温度超过设定值或出现水路故障发出报警并切断电源。对电源冷却水输入有水压继电气控制，冷却水输出有温度开关表监控欠压，超温会发出报警并切断电源。